CNY17-1S1(TB)-V

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CNY17-1S1(TB)-V

EXSHINE Artikelnummer:EX-CNY17-1S1(TB)-V
Hersteller Artikelnummer:CNY17-1S1(TB)-V
Hersteller / Marke:Everlight Electronics
Kurze Beschreibung:OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:CNY17(F)-x Series
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
Echtzeitverfügbarkeit für
CNY17-1S1(TB)-V
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Produktparameter

Spannung - Ausgabe (max) 80V
Spannung - Isolation 5000Vrms
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.65V (Max)
VCE Sätttigung (max) 300mV
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 10µs, 9µs
Supplier Device-Gehäuse 6-SMD
Serie -
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 6µs, 8µs
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 6-SMD, Gull Wing
Ausgabetyp Transistor with Base
Betriebstemperatur -55°C ~ 110°C
Anzahl der Kanäle 1
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 12 Weeks
Hersteller-Teilenummer CNY17-1S1(TB)-V
Eingabetyp DC
Expanded Beschreibung Optoisolator Transistor with Base Output 5000Vrms 1 Channel 6-SMD
Beschreibung OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min) 40% @ 10mA
Stromübertragungsverhältnis (max) 80% @ 10mA
Strom - Ausgang / Kanal -
Strom - DC Vorwärts (If) (Max) 60mA

Andere

Standardpaket 1,000

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Distributor von Everlight Electronics Co Ltd

- EverSpin Technologies ist der führende Entwickler und Hersteller von magnetischem RAM (MRAM) mit eigenständigen und eingebetteten MRAM-Produkten. Der MRAM von Everspin ist der schnellste nichtflüchtige Speicher der Branche und bietet unbegrenzte Lebensdauer, unübertroffene Zuverlässigkeit, 10 Jahre Datenspeicherung sowie parallele und serielle Schnittstellen. Als weltweit erster umfassender MRAM-Anbieter hat Everspin ein MRAM-Portfolio für geistiges Eigentum mit mehr als 600 aktiven Patenten und Anwendungen aufgebaut, von denen viele für MRAM-Technologien grundlegend und unverzichtbar sind.

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