72V225L10TF

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72V225L10TF

EXSHINE Artikelnummer:EX-72V225L10TF
Hersteller Artikelnummer:72V225L10TF
Hersteller / Marke:IDT (Integrated Device Technology)
Kurze Beschreibung:IC FIFO SYNC 1024X18 10NS 64QFP
Bleifreier Status / RoHS Status:Enthält Blei / RoHS nicht konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:IDT72V205/15/25/35/45IDT Suffixes
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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72V225L10TF
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Produktparameter

Spannungsversorgung 3 V ~ 3.6 V
Supplier Device-Gehäuse 64-TQFP (10x10)
Serie 72V
Retransmit Capability No
Programmierbare Flags Unterstützung Yes
Verpackung Tray
Verpackung / Gehäuse 64-LQFP
Andere Namen IDT72V225L10TF
IDT72V225L10TF-ND
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 3 (168 Hours)
Speichergröße 18K (1K x 18)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 7 Weeks
Hersteller-Teilenummer 72V225L10TF
Funktion Synchronous
FWFT Unterstützung Yes
Erweiterungstyp Depth, Width
Beschreibung IC FIFO SYNC 1024X18 10NS 64QFP
Datenrate 100MHz
Strom - Versorgung (Max) 30mA
Bus Directional Uni-Directional
Zugriffszeit 6.5ns

Andere

Andere Namen IDT72V225L10TF

IDT72V225L10TF-ND
Standardpaket 80

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Distributor von IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) ist ein Technologieführer, der integrierte Hochleistungsschaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte entwickelt, entwickelt und vertreibt: (i) Automobil, (ii) Kommunikation, (iii) digitaler Verbraucher und ( iv) industriell und medizinisch. Ihre Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringer Leistung sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte. Das Unternehmen entwickelt und vertreibt auch NOR-Flash-Produkte und leistungsstarke analoge und Mixed-Signal-ICs. Sie adressieren mit unseren kostengünstigen und qualitativ hochwertigen Halbleiterprodukten wachstumsstarke Märkte und streben langfristige Beziehungen zu unseren Kunden an. Sie waren ein engagierter langfristiger Lieferant von Speicherprodukten, einschließlich Produkten mit geringerer Dichte und kleinerem Volumen, selbst in Zeiten enger Fertigungskapazitäten.

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