72V3660L6PF

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72V3660L6PF

EXSHINE Artikelnummer:EX-72V3660L6PF
Hersteller Artikelnummer:72V3660L6PF
Hersteller / Marke:IDT (Integrated Device Technology)
Kurze Beschreibung:IC FIFO SS 4096X36 6NS 128-TQFP
Bleifreier Status / RoHS Status:Enthält Blei / RoHS nicht konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:IDT SuffixesIDT72V3640,50,60,70,80,90
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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72V3660L6PF
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Produktparameter

Spannungsversorgung 3.15 V ~ 3.45 V
Supplier Device-Gehäuse 128-TQFP (14x20)
Serie 72V
Retransmit Capability Yes
Programmierbare Flags Unterstützung Yes
Verpackung Tray
Verpackung / Gehäuse 128-LQFP
Andere Namen IDT72V3660L6PF
IDT72V3660L6PF-ND
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 3 (168 Hours)
Speichergröße 144K (4K x 36)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 7 Weeks
Hersteller-Teilenummer 72V3660L6PF
Funktion Synchronous
FWFT Unterstützung Yes
Erweiterungstyp Depth, Width
Beschreibung IC FIFO SS 4096X36 6NS 128-TQFP
Datenrate 166MHz
Strom - Versorgung (Max) 40mA
Bus Directional Uni-Directional
Zugriffszeit 4ns

Andere

Standardpaket 8
Andere Namen IDT72V3660L6PF

IDT72V3660L6PF-ND

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Distributor von IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) ist ein Technologieführer, der integrierte Hochleistungsschaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte entwickelt, entwickelt und vertreibt: (i) Automobil, (ii) Kommunikation, (iii) digitaler Verbraucher und ( iv) industriell und medizinisch. Ihre Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringer Leistung sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte. Das Unternehmen entwickelt und vertreibt auch NOR-Flash-Produkte und leistungsstarke analoge und Mixed-Signal-ICs. Sie adressieren mit unseren kostengünstigen und qualitativ hochwertigen Halbleiterprodukten wachstumsstarke Märkte und streben langfristige Beziehungen zu unseren Kunden an. Sie waren ein engagierter langfristiger Lieferant von Speicherprodukten, einschließlich Produkten mit geringerer Dichte und kleinerem Volumen, selbst in Zeiten enger Fertigungskapazitäten.

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