72V82L15PAG8

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72V82L15PAG8

EXSHINE Artikelnummer:EX-72V82L15PAG8
Hersteller Artikelnummer:72V82L15PAG8
Hersteller / Marke:IDT (Integrated Device Technology)
Kurze Beschreibung:IC FIFO SYNC 56TSSOP
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:IDT72V81-85IDT Suffixes
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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72V82L15PAG8
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Produktparameter

Spannungsversorgung 3 V ~ 3.6 V
Supplier Device-Gehäuse 56-TSSOP
Serie 72V
Retransmit Capability Yes
Programmierbare Flags Unterstützung No
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 56-TFSOP (0.240", 6.10mm Width)
Andere Namen IDT72V82L15PAG8
IDT72V82L15PAG8-ND
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Speichergröße 18K (1K x 9 x 2)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 7 Weeks
Hersteller-Teilenummer 72V82L15PAG8
Funktion Asynchronous
FWFT Unterstützung No
Erweiterungstyp Depth, Width
Beschreibung IC FIFO SYNC 56TSSOP
Datenrate 40MHz
Strom - Versorgung (Max) 100mA
Bus Directional Bi-Directional
Zugriffszeit 15ns

Andere

Standardpaket 2,000
Andere Namen IDT72V82L15PAG8

IDT72V82L15PAG8-ND

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Distributor von IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) ist ein Technologieführer, der integrierte Hochleistungsschaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte entwickelt, entwickelt und vertreibt: (i) Automobil, (ii) Kommunikation, (iii) digitaler Verbraucher und ( iv) industriell und medizinisch. Ihre Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringer Leistung sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte. Das Unternehmen entwickelt und vertreibt auch NOR-Flash-Produkte und leistungsstarke analoge und Mixed-Signal-ICs. Sie adressieren mit unseren kostengünstigen und qualitativ hochwertigen Halbleiterprodukten wachstumsstarke Märkte und streben langfristige Beziehungen zu unseren Kunden an. Sie waren ein engagierter langfristiger Lieferant von Speicherprodukten, einschließlich Produkten mit geringerer Dichte und kleinerem Volumen, selbst in Zeiten enger Fertigungskapazitäten.

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