8535-01PGGI

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EXSHINE Artikelnummer:	EX-8535-01PGGI
Hersteller Artikelnummer:	8535-01PGGI
Hersteller / Marke:	IDT (Integrated Device Technology)
Kurze Beschreibung:	IC CLK BUFFER 2:4 266MHZ 20TSSOP
Bleifreier Status / RoHS Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:	New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:	IDT8535-01
Anwendung:	-
Gewicht:	-
Alternativer Ersatz:	-

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8535-01PGGI
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Beschreibung
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Produktparameter

Spannungsversorgung	3.135 V ~ 3.465 V
Art	Fanout Buffer (Distribution), Multiplexer
Supplier Device-Gehäuse	20-TSSOP
Serie	-
Verhältnis - Eingang: Ausgang	2:4
Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Ausgabe	LVPECL
Andere Namen	IDT8535-01PGGI IDT8535-01PGGI-ND
Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C
Zahl der Schaltkreise	1
Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer	8535-01PGGI
Eingang	LVCMOS, LVTTL
Frequenz - Max	266MHz
Expanded Beschreibung	Clock Fanout Buffer (Distribution), Multiplexer IC 266MHz 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Differenzial - Eingang: Ausgang	No/Yes
Beschreibung	IC CLK BUFFER 2:4 266MHZ 20TSSOP

Andere

Andere Namen	IDT8535-01PGGI IDT8535-01PGGI-ND
Standardpaket	74

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Distributor von IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) ist ein Technologieführer, der integrierte Hochleistungsschaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte entwickelt, entwickelt und vertreibt: (i) Automobil, (ii) Kommunikation, (iii) digitaler Verbraucher und ( iv) industriell und medizinisch. Ihre Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringer Leistung sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte. Das Unternehmen entwickelt und vertreibt auch NOR-Flash-Produkte und leistungsstarke analoge und Mixed-Signal-ICs. Sie adressieren mit unseren kostengünstigen und qualitativ hochwertigen Halbleiterprodukten wachstumsstarke Märkte und streben langfristige Beziehungen zu unseren Kunden an. Sie waren ein engagierter langfristiger Lieferant von Speicherprodukten, einschließlich Produkten mit geringerer Dichte und kleinerem Volumen, selbst in Zeiten enger Fertigungskapazitäten.

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