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BSP296E6327
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-BSP296E6327 |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | BSP296E6327 |
| Hersteller / Marke: | Infineon Technologies |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223 |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | BSP296 |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
BSP296E6327
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Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 400µA |
|---|---|
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-SOT223-4 |
| Serie | SIPMOS® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 1.1A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 1.79W (Ta) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-261-4, TO-261AA |
| Andere Namen | BSP296 BSP296INTR SP000011106 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer | BSP296E6327 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 364pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.2nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 100V 1.1A (Ta) 1.79W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1.1A (Ta) |
Andere
| Standardpaket | 1,000 |
|---|---|
| Andere Namen | BSP296 BSP296INTR SP000011106 |
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