IPI08CNE8N G

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IPI08CNE8N G

EXSHINE Artikelnummer:EX-IPI08CNE8N G
Hersteller Artikelnummer:IPI08CNE8N G
Hersteller / Marke:Infineon Technologies
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 85V 95A TO262-3
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:IP(B,I,P)08CNE8N G
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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IPI08CNE8N G
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 130µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PG-TO262-3
Serie OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.4 mOhm @ 95A, 10V
Verlustleistung (max) 167W (Tc)
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Andere Namen SP000208927
SP000680708
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer IPI08CNE8N G
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6690pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 99nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 85V 95A (Tc) 167W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 85V
Beschreibung MOSFET N-CH 85V 95A TO262-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 95A (Tc)

Andere

Andere Namen SP000208927

SP000680708
Standardpaket 500

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