IPI80P04P4L06AKSA1

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IPI80P04P4L06AKSA1

EXSHINE Artikelnummer:EX-IPI80P04P4L06AKSA1
Hersteller Artikelnummer:IPI80P04P4L06AKSA1
Hersteller / Marke:Infineon Technologies
Kurze Beschreibung:MOSFET P-CH TO262-3
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:IPx80P04P4L-06
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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IPI80P04P4L06AKSA1
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 150µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PG-TO262-3-1
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.7 mOhm @ 80A, 10V
Verlustleistung (max) 88W (Tc)
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Andere Namen SP000842050
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 14 Weeks
Hersteller-Teilenummer IPI80P04P4L06AKSA1
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6580pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 104nC @ 10V
Typ FET P-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung P-Channel 40V 80A (Tc) 88W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V
Beschreibung MOSFET P-CH TO262-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc)

Andere

Standardpaket 500
Andere Namen SP000842050

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