EMD3T2R

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EMD3T2R

EXSHINE Artikelnummer:EX-EMD3T2R
Hersteller Artikelnummer:EMD3T2R
Hersteller / Marke:LAPIS Semiconductor
Kurze Beschreibung:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:EMD3, UMD3N, IMD3A
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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EMD3T2R
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Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse EMT6
Serie -
Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm) 10k
Widerstand - Base (R1) (Ohm) 10k
Leistung - max 150mW
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666
Andere Namen EMD3T2R-ND
EMD3T2RTR
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 10 Weeks
Hersteller-Teilenummer EMD3T2R
Frequenz - Übergang 250MHz
Expanded Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Beschreibung TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA

Andere

Andere Namen EMD3T2R-ND

EMD3T2RTR
Standardpaket 8,000

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