EMZ7T2R

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EMZ7T2R

EXSHINE Artikelnummer:EX-EMZ7T2R
Hersteller Artikelnummer:EMZ7T2R
Hersteller / Marke:LAPIS Semiconductor
Kurze Beschreibung:TRANS NPN/PNP 12V 0.5A 6EMT
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:EMZ7, UMZ7N
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
Echtzeitverfügbarkeit für
EMZ7T2R
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Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 12V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 200mA
Transistor-Typ NPN, PNP
Supplier Device-Gehäuse EMT6
Serie -
Leistung - max 150mW
Verpackung Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666
Andere Namen EMZ7T2RDKR
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 10 Weeks
Hersteller-Teilenummer EMZ7T2R
Frequenz - Übergang 320MHz, 260MHz
Expanded Beschreibung Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 12V 500mA 320MHz, 260MHz 150mW Surface Mount EMT6
Beschreibung TRANS NPN/PNP 12V 0.5A 6EMT
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 270 @ 10mA, 2V
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500mA

Andere

Standardpaket 1
Andere Namen EMZ7T2RDKR

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