APT21M100J

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APT21M100J

EXSHINE Artikelnummer:EX-APT21M100J
Hersteller Artikelnummer:APT21M100J
Hersteller / Marke:Microsemi
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:APT21M100JPower Products Catalog
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
Echtzeitverfügbarkeit für
APT21M100J
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse ISOTOP®
Serie POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 16A, 10V
Verlustleistung (max) 462W (Tc)
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 22 Weeks
Hersteller-Teilenummer APT21M100J
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 1000V (1kV) 21A 462W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000V (1kV)
Beschreibung MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A

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Standardpaket 1

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