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APTM100DU18TG

EXSHINE Artikelnummer:EX-APTM100DU18TG
Hersteller Artikelnummer:APTM100DU18TG
Hersteller / Marke:Microsemi
Kurze Beschreibung:MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:Power Products Catalog
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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APTM100DU18TG
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 5mA
Supplier Device-Gehäuse SP4
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 210 mOhm @ 21.5A, 10V
Leistung - max 780W
Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse SP4
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer APTM100DU18TG
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 372nC @ 10V
Typ FET 2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal Standard
Expanded Beschreibung Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1000V (1kV) 43A 780W Chassis Mount SP4
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000V (1kV)
Beschreibung MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 43A

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