2SK1058-E

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2SK1058-E

EXSHINE Artikelnummer:EX-2SK1058-E
Hersteller Artikelnummer:2SK1058-E
Hersteller / Marke:Renesas Electronics America
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:2SK1056/7/8
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
Echtzeitverfügbarkeit für
2SK1058-E
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id -
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-3P
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Verlustleistung (max) 100W (Tc)
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 16 Weeks
Hersteller-Teilenummer 2SK1058-E
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 160V 7A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P
Drain-Source-Spannung (Vdss) 160V
Beschreibung MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Ta)

Andere

Standardpaket 1

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- RF Digital stellt eine umfangreiche Palette konfigurierbarer Funk-HF-Sender-, Empfänger- und Transceiver-Module her, die für nahezu jede Art von Anwendung geeignet sind. Die Module sind vollständig integriert, von hoher Qualität und niedrigen Kosten, um jede Anwendung zu unterstützen. Die RFDuino Produktlinie bietet eine umfangreiche Palette an Modulen, einschließlich Sensoren, USB, Proto Shields und anderen, um Bluetooth Low Energy in einer Plug-and-Play-Prototypenumgebung zu testen.

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