HN3C51F-GR(TE85L,F

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EXSHINE Artikelnummer:	EX-HN3C51F-GR(TE85L,F
Hersteller Artikelnummer:	HN3C51F-GR(TE85L,F
Hersteller / Marke:	Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung:	TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
Bleifreier Status / RoHS Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:	New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:	HN3C51F
Anwendung:	-
Gewicht:	-
Alternativer Ersatz:	-

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HN3C51F-GR(TE85L,F
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Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	120V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 1mA, 10mA
Transistor-Typ	2 NPN (Dual)
Supplier Device-Gehäuse	SM6
Serie	-
Leistung - max	300mW
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	SC-74, SOT-457
Andere Namen	HN3C51F-GR(TE85L,F) HN3C51F-GR(TE85LF)TR HN3C51F-GR(TE85LF)TR-ND HN3C51F-GR(TE85LFTR HN3C51F-GRTE85LF HN3C51FGR(TE85LFTR HN3C51FGR(TE85LFTR-ND
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer	HN3C51F-GR(TE85L,F
Frequenz - Übergang	100MHz
Expanded Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6
Beschreibung	TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	200 @ 2mA, 6V
Strom - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)	100mA

Andere

Andere Namen	HN3C51F-GR(TE85L,F) HN3C51F-GR(TE85LF)TR HN3C51F-GR(TE85LF)TR-ND HN3C51F-GR(TE85LFTR HN3C51F-GRTE85LF HN3C51FGR(TE85LFTR HN3C51FGR(TE85LFTR-ND
Standardpaket	3,000

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Distributor von Toshiba Semiconductor and Storage

- Touchstone Semiconductor Inc. entwickelt hochleistungsfähige analoge IC-Lösungen (Integrated Circuit), die kritische Probleme für Elektronikunternehmen lösen. Unsere proprietären Produkte bieten eine einzigartige Kombination aus Funktionen und Leistung, die anderswo im analogen Markt nicht zu finden ist. Unsere Second-Source-Produkte sind pin-kompatibel und entsprechen den Spezifikationen von Konkurrenzprodukten und bieten eine ideale Alternative für schwer zu sichernde Produkte aus eigener Herstellung. Touchstone wurde 2010 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Milpitas, Kalifornien. Zu den Investoren zählen Opus Capital und Khosla Ventures.
Unsere Mission bei Touchstone Semiconductor ist das Design von hochleistungsfähigen Analog-ICs, mit denen Sie die Probleme Ihrer Kunden lösen können. Dazu entwickeln wir hochleistungsfähige Analog-ICs mit extrem niedrigem Stromverbrauch, die den Stromverbrauch in Ihren Produkten reduzieren.

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