SI3585CDV-T1-GE3

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SI3585CDV-T1-GE3

EXSHINE Artikelnummer:EX-SI3585CDV-T1-GE3
Hersteller Artikelnummer:SI3585CDV-T1-GE3
Hersteller / Marke:Vishay / Siliconix
Kurze Beschreibung:MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:SI3585CDV-T1-GE3
Anwendung:-
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SI3585CDV-T1-GE3
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse 6-TSOP
Serie TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Leistung - max 1.4W, 1.3W
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Andere Namen SI3585CDV-T1-GE3-ND
SI3585CDV-T1-GE3TR
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 24 Weeks
Hersteller-Teilenummer SI3585CDV-T1-GE3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.8nC @ 10V
Typ FET N and P-Channel
FET-Merkmal Logic Level Gate
Expanded Beschreibung Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.9A, 2.1A 1.4W, 1.3W Surface Mount 6-TSOP
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Beschreibung MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.9A, 2.1A

Andere

Standardpaket 3,000
Andere Namen SI3585CDV-T1-GE3-ND

SI3585CDV-T1-GE3TR

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Distributor von Vishay Siliconix

- Das Produktportfolio von Vishay ist eine unübertroffene Sammlung von diskreten Halbleitern (Dioden, MOSFETs und Optoelektronik) und passiven Bauelementen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Diese Komponenten werden in nahezu allen Arten von elektronischen Geräten und Ausrüstungen in den Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Verbraucher, Telekommunikation, Militär, Luft- und Raumfahrt und Medizin verwendet. Vishay ist stolz darauf, ein wichtiger Partner von exshinetech.com zu sein.

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