SI7909DN-T1-GE3

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SI7909DN-T1-GE3

EXSHINE Artikelnummer:EX-SI7909DN-T1-GE3
Hersteller Artikelnummer:SI7909DN-T1-GE3
Hersteller / Marke:Vishay / Siliconix
Kurze Beschreibung:MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:SI7909DN
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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SI7909DN-T1-GE3
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 700µA
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® 1212-8 Dual
Serie TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37 mOhm @ 7.7A, 4.5V
Leistung - max 1.3W
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® 1212-8 Dual
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer SI7909DN-T1-GE3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 4.5V
Typ FET 2 P-Channel (Dual)
FET-Merkmal Logic Level Gate
Expanded Beschreibung Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 5.3A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12V
Beschreibung MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.3A

Andere

Standardpaket 3,000

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Distributor von Vishay Siliconix

- Das Produktportfolio von Vishay ist eine unübertroffene Sammlung von diskreten Halbleitern (Dioden, MOSFETs und Optoelektronik) und passiven Bauelementen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Diese Komponenten werden in nahezu allen Arten von elektronischen Geräten und Ausrüstungen in den Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Verbraucher, Telekommunikation, Militär, Luft- und Raumfahrt und Medizin verwendet. Vishay ist stolz darauf, ein wichtiger Partner von exshinetech.com zu sein.

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