SQJ456EP-T1_GE3

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SQJ456EP-T1_GE3

EXSHINE Artikelnummer:EX-SQJ456EP-T1_GE3
Hersteller Artikelnummer:SQJ456EP-T1_GE3
Hersteller / Marke:Vishay / Siliconix
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:SQJ456EP
Anwendung:-
Gewicht:-
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SQJ456EP-T1_GE3
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 9.3A, 10V
Verlustleistung (max) 83W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8
Andere Namen SQJ456EP-T1-GE3
SQJ456EP-T1-GE3-ND
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 18 Weeks
Hersteller-Teilenummer SQJ456EP-T1_GE3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3342pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 100V 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 32A (Tc)

Andere

Andere Namen SQJ456EP-T1-GE3

SQJ456EP-T1-GE3-ND
Standardpaket 3,000

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Distributor von Vishay Siliconix

- Das Produktportfolio von Vishay ist eine unübertroffene Sammlung von diskreten Halbleitern (Dioden, MOSFETs und Optoelektronik) und passiven Bauelementen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Diese Komponenten werden in nahezu allen Arten von elektronischen Geräten und Ausrüstungen in den Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Verbraucher, Telekommunikation, Militär, Luft- und Raumfahrt und Medizin verwendet. Vishay ist stolz darauf, ein wichtiger Partner von exshinetech.com zu sein.

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