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ALD111910PAL
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-ALD111910PAL |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | ALD111910PAL |
| Hersteller / Marke: | Advanced Linear Devices, Inc. |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 8DIP |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | ALD111910PAL |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
ALD111910PAL
Auf Lager: 93680 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | - |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse | - |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Leistung - max | - |
| Verpackung | - |
| Verpackung / Gehäuse | - |
| Andere Namen | 1014-1220 |
| Betriebstemperatur | - |
| Befestigungsart | - |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 10 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | ALD111910PAL |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Typ FET | - |
| FET-Merkmal | - |
| Expanded Beschreibung | Mosfet Array |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | - |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 8DIP |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | - |
Andere
| Standardpaket | 50 |
|---|---|
| Andere Namen | 1014-1220 |
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Distributor von Advanced Linear Devices Inc.
- Advanced Linear Devices, Inc. (ALD) entwickelt und fertigt hochpräzise CMOS-Analog-ICs mit niedrigem Stromverbrauch, zugehörige Board-Level-Produkte und Energy Harvesting-Module sowie Zubehör, das die EPAD®-Technologie des Unternehmens enthält. Die Standard-Halbleiterprodukte von ALD umfassen eine vollständige Palette von "Best-of-Breed" Niederspannungs-Analog-Niederspannungs-Analog-Schaltern, Dual-Slope-A / D-Wandlern und digitalen Prozessoren, Präzisions-Spannungsvergleichern, Präzisions-Rail-to-Rail CMOS-Operationsverstärker und CMOS-Timer mit niedriger Drift mit hoher Entladungsleistung sowie eine umfangreiche Auswahl von EPAD-angepassten Kleinsignal-MOSFET-Arrays mit Anreicherung, Verarmung und Nullschwellenmode.