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ALD810017SCL
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-ALD810017SCL |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | ALD810017SCL |
| Hersteller / Marke: | Advanced Linear Devices, Inc. |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET QUAD SAB 10.6V EE 16SOIC |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | ALD8100xx, ALD9100xx FamilyALD810017, ALD910017 |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
ALD810017SCL
Auf Lager: 60290 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| Spannung - Nennwert | 10.6V |
|---|---|
| Transistor-Typ | 4 N-Channel |
| Supplier Device-Gehäuse | 16-SOIC |
| Serie | SAB™ |
| Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Andere Namen | 1014-1270-5 |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 10 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | ALD810017SCL |
| Expanded Beschreibung | Transistor Supercapacitor Auto Balancing 4 N-Channel 10.6V 80mA Surface Mount 16-SOIC |
| Beschreibung | MOSFET QUAD SAB 10.6V EE 16SOIC |
| Aktuelle Bewertung | 80mA |
| Anwendungen | Supercapacitor Auto Balancing |
Andere
| Andere Namen | 1014-1270-5 |
|---|---|
| Standardpaket | 50 |
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Distributor von Advanced Linear Devices Inc.
- Advanced Linear Devices, Inc. (ALD) entwickelt und fertigt hochpräzise CMOS-Analog-ICs mit niedrigem Stromverbrauch, zugehörige Board-Level-Produkte und Energy Harvesting-Module sowie Zubehör, das die EPAD®-Technologie des Unternehmens enthält. Die Standard-Halbleiterprodukte von ALD umfassen eine vollständige Palette von "Best-of-Breed" Niederspannungs-Analog-Niederspannungs-Analog-Schaltern, Dual-Slope-A / D-Wandlern und digitalen Prozessoren, Präzisions-Spannungsvergleichern, Präzisions-Rail-to-Rail CMOS-Operationsverstärker und CMOS-Timer mit niedriger Drift mit hoher Entladungsleistung sowie eine umfangreiche Auswahl von EPAD-angepassten Kleinsignal-MOSFET-Arrays mit Anreicherung, Verarmung und Nullschwellenmode.