NESG7030M04-A

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EXSHINE Artikelnummer:	EX-NESG7030M04-A
Hersteller Artikelnummer:	NESG7030M04-A
Hersteller / Marke:	CEL (California Eastern Laboratories)
Kurze Beschreibung:	DISCRETE RF DIODE
Bleifreier Status / RoHS Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:	New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:	NESG7030M04
Anwendung:	-
Gewicht:	-
Alternativer Ersatz:	-

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NESG7030M04-A
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Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen

Beschreibung
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Verpackung

Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	4.3V
Transistor-Typ	NPN
Supplier Device-Gehäuse	M04
Serie	-
Leistung - max	125mW
Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	SOT-343F
Andere Namen	NESG7030M04A
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Rauschzahl (dB Typ @ f)	0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz
Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer	NESG7030M04-A
Gewinnen	14dB ~ 21dB
Frequenz - Übergang	5.8GHz
Expanded Beschreibung	RF Transistor NPN 4.3V 30mA 5.8GHz 125mW Surface Mount M04
Beschreibung	DISCRETE RF DIODE
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	200 @ 5mA, 2V
Strom - Kollektor (Ic) (max)	30mA

Andere

Standardpaket	1
Andere Namen	NESG7030M04A

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