EXSHINE Artikelnummer: | EX-SI8261BCC-C-ISR |
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Hersteller Artikelnummer: | SI8261BCC-C-ISR |
Hersteller / Marke: | Energy Micro (Silicon Labs) |
Kurze Beschreibung: | DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC |
Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
Bedingung: | New and unused, Original |
Datenblatt herunterladen: | Si826x Datasheet |
Anwendung: | - |
Gewicht: | - |
Alternativer Ersatz: | - |
Spannungsversorgung | 13.5 V ~ 30 V |
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Spannung - Isolation | 3750Vrms |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 2.8V (Max) |
Technologie | Capacitive Coupling |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
Serie | Automotive, AEC-Q100 |
Aufstieg / Fallzeit (Typ) | 5.5ns, 8.5ns |
Pulsbreite Verzerrung (Max) | 28ns |
Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (Max) | 60ns, 50ns |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Anzahl der Kanäle | 1 |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 3 (168 Hours) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 6 Weeks |
Hersteller-Teilenummer | SI8261BCC-C-ISR |
Expanded Beschreibung | 4A Gate Driver Capacitive Coupling 3750Vrms 1 Channel 8-SOIC |
Beschreibung | DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC |
Strom - Spitzenausgang | 4A |
Strom - hoch, niedrig | 500mA, 1.2A |
Strom - DC Vorwärts (If) (Max) | 30mA |
Gattungsmodus vorübergehende Immunität (min.) | 35kV/µs |
Zulassungen | CQC, CSA, UR, VDE |
Standardpaket | 2,500 |
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