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EAAY03BLAGYA0
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-EAAY03BLAGYA0 |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | EAAY03BLAGYA0 |
| Hersteller / Marke: | Everlight Electronics |
| Kurze Beschreibung: | BI-LEVEL 3MM T1 YLW-GRN |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | EAAY03BLAGYA0 |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
EAAY03BLAGYA0
Auf Lager: 88240000 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| Wellenlänge - Spitze | 575nm, 591nm |
|---|---|
| Spannungswert | 2V Green, 2V Yellow |
| Blickwinkel | 60° |
| Serie | - |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Millicandela-Bewertung | 50mcd Green, 80mcd Yellow |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 8 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | EAAY03BLAGYA0 |
| Linsentyp | Diffused |
| Linsenstil / grösse | Round with Domed Top |
| Expanded Beschreibung | LED Circuit Board Indicator 2 High Green (x 1), Yellow (x 1) Diffused 2V Green, 2V Yellow 60mA Green, 60mA Yellow Round with Domed Top |
| Beschreibung | BI-LEVEL 3MM T1 YLW-GRN |
| Strom | 60mA Green, 60mA Yellow |
| Konfiguration | 2 High |
| Farbe | Green (x 1), Yellow (x 1) |
Andere
| Standardpaket | 270 |
|---|
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Distributor von Everlight Electronics Co Ltd
- EverSpin Technologies ist der führende Entwickler und Hersteller von magnetischem RAM (MRAM) mit eigenständigen und eingebetteten MRAM-Produkten. Der MRAM von Everspin ist der schnellste nichtflüchtige Speicher der Branche und bietet unbegrenzte Lebensdauer, unübertroffene Zuverlässigkeit, 10 Jahre Datenspeicherung sowie parallele und serielle Schnittstellen. Als weltweit erster umfassender MRAM-Anbieter hat Everspin ein MRAM-Portfolio für geistiges Eigentum mit mehr als 600 aktiven Patenten und Anwendungen aufgebaut, von denen viele für MRAM-Technologien grundlegend und unverzichtbar sind.