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ELM453L(TB)-V

EXSHINE Artikelnummer:EX-ELM453L(TB)-V
Hersteller Artikelnummer:ELM453L(TB)-V
Hersteller / Marke:Everlight Electronics
Kurze Beschreibung:OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:ELM45x SeriesProduct Catalog 2014-15
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
Echtzeitverfügbarkeit für
ELM453L(TB)-V
Auf Lager: 90562000 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
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Produktparameter

Spannung - Ausgabe (max) 20V
Spannung - Isolation 3750Vrms
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) -
VCE Sätttigung (max) -
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) -
Supplier Device-Gehäuse 5-SOP
Serie -
Aufstieg / Fallzeit (Typ) -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 5 Leads
Ausgabetyp Transistor
Betriebstemperatur -
Anzahl der Kanäle 1
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 12 Weeks
Hersteller-Teilenummer ELM453L(TB)-V
Eingabetyp DC
Expanded Beschreibung Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 5-SOP
Beschreibung OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SOIC
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min) 20% @ 16mA
Stromübertragungsverhältnis (max) 50% @ 16mA
Strom - Ausgang / Kanal -
Strom - DC Vorwärts (If) (Max) -

Andere

Standardpaket 3,000

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Bild Mfg. Teilenummer Hersteller Kurze Beschreibung Datenblatt Auf Lager Stückpreis Online bestellen
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Distributor von Everlight Electronics Co Ltd

- EverSpin Technologies ist der führende Entwickler und Hersteller von magnetischem RAM (MRAM) mit eigenständigen und eingebetteten MRAM-Produkten. Der MRAM von Everspin ist der schnellste nichtflüchtige Speicher der Branche und bietet unbegrenzte Lebensdauer, unübertroffene Zuverlässigkeit, 10 Jahre Datenspeicherung sowie parallele und serielle Schnittstellen. Als weltweit erster umfassender MRAM-Anbieter hat Everspin ein MRAM-Portfolio für geistiges Eigentum mit mehr als 600 aktiven Patenten und Anwendungen aufgebaut, von denen viele für MRAM-Technologien grundlegend und unverzichtbar sind.

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