ELSH-F51R1-0LPNM-AR5R6

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EXSHINE Artikelnummer:	EX-ELSH-F51R1-0LPNM-AR5R6
Hersteller Artikelnummer:	ELSH-F51R1-0LPNM-AR5R6
Hersteller / Marke:	Everlight Electronics
Kurze Beschreibung:	LED SHUEN 1W HI POWER RED SMD
Bleifreier Status / RoHS Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:	New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:	Shuen 1W Series
Anwendung:	-
Gewicht:	-
Alternativer Ersatz:	-

Echtzeitverfügbarkeit für

ELSH-F51R1-0LPNM-AR5R6
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Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen

Beschreibung
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Produktparameter

Wellenlänge	625nm (620nm ~ 630nm)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)	2.35V
Blickwinkel	120°
Wärmebeständigkeit des Pakets	12°C/W
Temperatur - Test	25°C
Supplier Device-Gehäuse	SMD
Größe / Dimension	0.120" L x 0.177" W (3.05mm x 4.50mm)
Serie	SHUEN
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	1218 (3246 Metric)
Andere Namen	1080-1259-2 ELSHF51R10LPNMAR5R6
Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	8 Weeks
Hersteller-Teilenummer	ELSH-F51R1-0LPNM-AR5R6
Lumen / Watt bei Strom - Test	68 lm/W
Höhe - eingesteckt (max)	0.085" (2.15mm)
Flux @ Strom / Temperatur - Test	56 lm (52 lm ~ 60 lm)
Expanded Beschreibung	LED Lighting Color SHUEN Red 625nm (620nm ~ 630nm) 1218 (3246 Metric)
Beschreibung	LED SHUEN 1W HI POWER RED SMD
Strom - Test	350mA
Strom - Max	600mA
Farbe	Red

Andere

Andere Namen	1080-1259-2 ELSHF51R10LPNMAR5R6
Standardpaket	400

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Distributor von Everlight Electronics Co Ltd

- EverSpin Technologies ist der führende Entwickler und Hersteller von magnetischem RAM (MRAM) mit eigenständigen und eingebetteten MRAM-Produkten. Der MRAM von Everspin ist der schnellste nichtflüchtige Speicher der Branche und bietet unbegrenzte Lebensdauer, unübertroffene Zuverlässigkeit, 10 Jahre Datenspeicherung sowie parallele und serielle Schnittstellen. Als weltweit erster umfassender MRAM-Anbieter hat Everspin ein MRAM-Portfolio für geistiges Eigentum mit mehr als 600 aktiven Patenten und Anwendungen aufgebaut, von denen viele für MRAM-Technologien grundlegend und unverzichtbar sind.

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