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ITR8307/L24/F43
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-ITR8307/L24/F43 |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | ITR8307/L24/F43 |
| Hersteller / Marke: | Everlight Electronics |
| Kurze Beschreibung: | OPTO INTERRUPTER |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | ITR8307/L24/F43 |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
ITR8307/L24/F43
Auf Lager: 68494000 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 30V |
|---|---|
| Serie | - |
| Abtastmethode | Reflective |
| Abtastabstand | 0.039" (1mm) |
| Reaktionszeit | 20µs, 20µs |
| Verpackung | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse | 4-DIP (0.157", 4.00mm) |
| Ausgabetyp | Phototransistor |
| Betriebstemperatur | -25°C ~ 85°C |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 12 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | ITR8307/L24/F43 |
| Expanded Beschreibung | Reflective Optical Sensor 0.039" (1mm) 4-DIP (0.157", 4.00mm) |
| Beschreibung | OPTO INTERRUPTER |
| Strom - DC Vorwärts (If) (Max) | 50mA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 50mA |
Andere
| Standardpaket | 160 |
|---|
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Distributor von Everlight Electronics Co Ltd
- EverSpin Technologies ist der führende Entwickler und Hersteller von magnetischem RAM (MRAM) mit eigenständigen und eingebetteten MRAM-Produkten. Der MRAM von Everspin ist der schnellste nichtflüchtige Speicher der Branche und bietet unbegrenzte Lebensdauer, unübertroffene Zuverlässigkeit, 10 Jahre Datenspeicherung sowie parallele und serielle Schnittstellen. Als weltweit erster umfassender MRAM-Anbieter hat Everspin ein MRAM-Portfolio für geistiges Eigentum mit mehr als 600 aktiven Patenten und Anwendungen aufgebaut, von denen viele für MRAM-Technologien grundlegend und unverzichtbar sind.