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PD42-21B/TR8
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-PD42-21B/TR8 |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | PD42-21B/TR8 |
| Hersteller / Marke: | Everlight Electronics |
| Kurze Beschreibung: | PHOTODIODE PIN IR 1.8MM RND BK |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | PD42-21B/TR8 |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
PD42-21B/TR8
Auf Lager: 59108000 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| Wellenlänge | 940nm |
|---|---|
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 32V |
| Blickwinkel | - |
| Spektralbereich | 730nm ~ 1100nm |
| Serie | - |
| Empfindlichkeit bei nm | - |
| Reaktionszeit | 6ns |
| Verpackung | Original-Reel® |
| Verpackung / Gehäuse | 2-SMD, No Lead |
| Andere Namen | 1080-1368-6 |
| Betriebstemperatur | -25°C ~ 85°C |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 2 (1 Year) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 8 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | PD42-21B/TR8 |
| Expanded Beschreibung | Photodiode 940nm 6ns 2-SMD, No Lead |
| Diodentyp | PIN |
| Beschreibung | PHOTODIODE PIN IR 1.8MM RND BK |
| Strom - Dunkel (Typ) | 10nA |
| Farbe - verstärkt | - |
| Aktives Gebiet | - |
Andere
| Standardpaket | 1 |
|---|---|
| Andere Namen | 1080-1368-6 |
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Distributor von Everlight Electronics Co Ltd
- EverSpin Technologies ist der führende Entwickler und Hersteller von magnetischem RAM (MRAM) mit eigenständigen und eingebetteten MRAM-Produkten. Der MRAM von Everspin ist der schnellste nichtflüchtige Speicher der Branche und bietet unbegrenzte Lebensdauer, unübertroffene Zuverlässigkeit, 10 Jahre Datenspeicherung sowie parallele und serielle Schnittstellen. Als weltweit erster umfassender MRAM-Anbieter hat Everspin ein MRAM-Portfolio für geistiges Eigentum mit mehr als 600 aktiven Patenten und Anwendungen aufgebaut, von denen viele für MRAM-Technologien grundlegend und unverzichtbar sind.