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PT91-21B
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-PT91-21B |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | PT91-21B |
| Hersteller / Marke: | Everlight Electronics |
| Kurze Beschreibung: | PHOTOTRANSISTOR 1.9MM RND BK AXL |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | PT91-21B |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
PT91-21B
Auf Lager: 16466000 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| Wellenlänge | 940nm |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 30V |
| Blickwinkel | - |
| Serie | - |
| Leistung - max | - |
| Verpackung | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse | Axial, Flat Leads |
| Andere Namen | 1080-1165 3291210003 PT9121B |
| Orientierung | Top View |
| Betriebstemperatur | -25°C ~ 85°C (TA) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 8 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | PT91-21B |
| Expanded Beschreibung | Phototransistor 940nm Top View Axial, Flat Leads |
| Beschreibung | PHOTOTRANSISTOR 1.9MM RND BK AXL |
| Strom - Dunkel (Id) (Max) | 100nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 20mA |
Andere
| Andere Namen | 1080-1165 3291210003 PT9121B |
|---|---|
| Standardpaket | 1,000 |
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Distributor von Everlight Electronics Co Ltd
- EverSpin Technologies ist der führende Entwickler und Hersteller von magnetischem RAM (MRAM) mit eigenständigen und eingebetteten MRAM-Produkten. Der MRAM von Everspin ist der schnellste nichtflüchtige Speicher der Branche und bietet unbegrenzte Lebensdauer, unübertroffene Zuverlässigkeit, 10 Jahre Datenspeicherung sowie parallele und serielle Schnittstellen. Als weltweit erster umfassender MRAM-Anbieter hat Everspin ein MRAM-Portfolio für geistiges Eigentum mit mehr als 600 aktiven Patenten und Anwendungen aufgebaut, von denen viele für MRAM-Technologien grundlegend und unverzichtbar sind.