FDB16AN08A0

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FDB16AN08A0

EXSHINE Artikelnummer:EX-FDB16AN08A0
Hersteller Artikelnummer:FDB16AN08A0
Hersteller / Marke:Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 75V 58A TO-263AB
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:FDB16AN08A0
Anwendung:-
Gewicht:-
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FDB16AN08A0
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263AB)
Serie PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 58A, 10V
Verlustleistung (max) 135W (Tc)
Verpackung Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen FDB16AN08A0DKR
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 6 Weeks
Hersteller-Teilenummer FDB16AN08A0
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1857pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 75V 9A (Ta), 58A (Tc) 135W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75V
Beschreibung MOSFET N-CH 75V 58A TO-263AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Ta), 58A (Tc)

Andere

Standardpaket 1
Andere Namen FDB16AN08A0DKR

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Distributor von Fairchild/ON Semiconductor

- Die FDK-Gruppe will durch die Herstellung und Lieferung von elektronischen Geräten und Batterien, die den Bedürfnissen der Kunden entsprechen, zur Verwirklichung einer wohlhabenden Elektronikgesellschaft beitragen. Im Einklang mit unserem kundenorientierten Ansatz liefert FDK Produkte, die den Wert und die Funktion der Produkte unserer Kunden erhöhen. Unsere Material-, Kreislauf- und High-Density-Technologien werden seit langem kultiviert und verwenden umweltfreundliche Produkte. Wir streben danach, auf der ganzen Welt als einer der besten Lieferanten von Schlüssel- und Schneidegeräten anerkannt zu werden und den Fortschritt dieser und neuer Technologien zu fördern und gleichzeitig den Umweltschutz zu fördern.

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