FDB8441

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FDB8441

EXSHINE Artikelnummer:EX-FDB8441
Hersteller Artikelnummer:FDB8441
Hersteller / Marke:Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:FDB8441
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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FDB8441
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263AB)
Serie PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 mOhm @ 80A, 10V
Verlustleistung (max) 300W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen FDB8441TR
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 12 Weeks
Hersteller-Teilenummer FDB8441
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 280nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 40V 28A (Ta), 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 28A (Ta), 120A (Tc)

Andere

Standardpaket 800
Andere Namen FDB8441TR

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Distributor von Fairchild/ON Semiconductor

- Die FDK-Gruppe will durch die Herstellung und Lieferung von elektronischen Geräten und Batterien, die den Bedürfnissen der Kunden entsprechen, zur Verwirklichung einer wohlhabenden Elektronikgesellschaft beitragen. Im Einklang mit unserem kundenorientierten Ansatz liefert FDK Produkte, die den Wert und die Funktion der Produkte unserer Kunden erhöhen. Unsere Material-, Kreislauf- und High-Density-Technologien werden seit langem kultiviert und verwenden umweltfreundliche Produkte. Wir streben danach, auf der ganzen Welt als einer der besten Lieferanten von Schlüssel- und Schneidegeräten anerkannt zu werden und den Fortschritt dieser und neuer Technologien zu fördern und gleichzeitig den Umweltschutz zu fördern.

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