FDD86367_F085

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FDD86367_F085

EXSHINE Artikelnummer:EX-FDD86367_F085
Hersteller Artikelnummer:FDD86367_F085
Hersteller / Marke:Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:FDD86367_F085
Anwendung:-
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FDD86367_F085
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse D-PAK (TO-252AA)
Serie Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2 mOhm @ 80A, 10V
Verlustleistung (max) 227W (Tj)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen FDD86367_F085TR
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 6 Weeks
Hersteller-Teilenummer FDD86367_F085
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4840pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 88nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 80V 100A (Tc) 227W (Tj) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80V
Beschreibung MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc)

Andere

Andere Namen FDD86367_F085TR
Standardpaket 2,500

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Distributor von Fairchild/ON Semiconductor

- Die FDK-Gruppe will durch die Herstellung und Lieferung von elektronischen Geräten und Batterien, die den Bedürfnissen der Kunden entsprechen, zur Verwirklichung einer wohlhabenden Elektronikgesellschaft beitragen. Im Einklang mit unserem kundenorientierten Ansatz liefert FDK Produkte, die den Wert und die Funktion der Produkte unserer Kunden erhöhen. Unsere Material-, Kreislauf- und High-Density-Technologien werden seit langem kultiviert und verwenden umweltfreundliche Produkte. Wir streben danach, auf der ganzen Welt als einer der besten Lieferanten von Schlüssel- und Schneidegeräten anerkannt zu werden und den Fortschritt dieser und neuer Technologien zu fördern und gleichzeitig den Umweltschutz zu fördern.

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