EXSHINE Artikelnummer: | EX-FDFM2N111 |
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Hersteller Artikelnummer: | FDFM2N111 |
Hersteller / Marke: | Fairchild/ON Semiconductor |
Kurze Beschreibung: | MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP |
Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
Bedingung: | 1 |
Datenblatt herunterladen: | FDFM2N111 |
Anwendung: | - |
Gewicht: | - |
Alternativer Ersatz: | - |
VGS (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±12V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | MicroFET 3x3mm |
Serie | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 4A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 1.7W (Ta) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 6-MLP, Power33 |
Andere Namen | FDFM2N111-ND FDFM2N111TR |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 13 Weeks |
Hersteller-Teilenummer | FDFM2N111 |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 273pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.8nC @ 4.5V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | Schottky Diode (Isolated) |
Expanded Beschreibung | N-Channel 20V 4A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount MicroFET 3x3mm |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Beschreibung | MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4A (Ta) |
Andere Namen | FDFM2N111-ND FDFM2N111TR |
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Standardpaket | 3,000 |
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