FDFM2N111

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FDFM2N111

EXSHINE Artikelnummer:EX-FDFM2N111
Hersteller Artikelnummer:FDFM2N111
Hersteller / Marke:Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:1
Datenblatt herunterladen:FDFM2N111
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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FDFM2N111
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse MicroFET 3x3mm
Serie PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 4A, 4.5V
Verlustleistung (max) 1.7W (Ta)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 6-MLP, Power33
Andere Namen FDFM2N111-ND
FDFM2N111TR
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 13 Weeks
Hersteller-Teilenummer FDFM2N111
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 273pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.8nC @ 4.5V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal Schottky Diode (Isolated)
Expanded Beschreibung N-Channel 20V 4A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount MicroFET 3x3mm
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Beschreibung MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Ta)

Andere

Andere Namen FDFM2N111-ND

FDFM2N111TR
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Distributor von Fairchild/ON Semiconductor

- Die FDK-Gruppe will durch die Herstellung und Lieferung von elektronischen Geräten und Batterien, die den Bedürfnissen der Kunden entsprechen, zur Verwirklichung einer wohlhabenden Elektronikgesellschaft beitragen. Im Einklang mit unserem kundenorientierten Ansatz liefert FDK Produkte, die den Wert und die Funktion der Produkte unserer Kunden erhöhen. Unsere Material-, Kreislauf- und High-Density-Technologien werden seit langem kultiviert und verwenden umweltfreundliche Produkte. Wir streben danach, auf der ganzen Welt als einer der besten Lieferanten von Schlüssel- und Schneidegeräten anerkannt zu werden und den Fortschritt dieser und neuer Technologien zu fördern und gleichzeitig den Umweltschutz zu fördern.

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