FDFMA2P853T

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FDFMA2P853T

EXSHINE Artikelnummer:EX-FDFMA2P853T
Hersteller Artikelnummer:FDFMA2P853T
Hersteller / Marke:Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung:MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:1
Datenblatt herunterladen:FDFMA2P853T
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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FDFMA2P853T
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse MicroFET 2x2 Thin
Serie PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 3A, 4.5V
Verlustleistung (max) 1.4W (Ta)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 6-UDFN Exposed Pad
Andere Namen FDFMA2P853T-ND
FDFMA2P853TTR
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer FDFMA2P853T
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 435pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V
Typ FET P-Channel
FET-Merkmal Schottky Diode (Isolated)
Expanded Beschreibung P-Channel 20V 3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount MicroFET 2x2 Thin
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Beschreibung MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Ta)

Andere

Standardpaket 3,000
Andere Namen FDFMA2P853T-ND

FDFMA2P853TTR

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Distributor von Fairchild/ON Semiconductor

- Die FDK-Gruppe will durch die Herstellung und Lieferung von elektronischen Geräten und Batterien, die den Bedürfnissen der Kunden entsprechen, zur Verwirklichung einer wohlhabenden Elektronikgesellschaft beitragen. Im Einklang mit unserem kundenorientierten Ansatz liefert FDK Produkte, die den Wert und die Funktion der Produkte unserer Kunden erhöhen. Unsere Material-, Kreislauf- und High-Density-Technologien werden seit langem kultiviert und verwenden umweltfreundliche Produkte. Wir streben danach, auf der ganzen Welt als einer der besten Lieferanten von Schlüssel- und Schneidegeräten anerkannt zu werden und den Fortschritt dieser und neuer Technologien zu fördern und gleichzeitig den Umweltschutz zu fördern.

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