FDG6332C_F085

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FDG6332C_F085

EXSHINE Artikelnummer:EX-FDG6332C_F085
Hersteller Artikelnummer:FDG6332C_F085
Hersteller / Marke:Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung:MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:1
Datenblatt herunterladen:FDG6332C_F085
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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FDG6332C_F085
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse SC-70-6
Serie Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 700mA, 4.5V
Leistung - max 300mW
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen FDG6332C_F085FSTR
FDG6332C_F085TR
FDG6332C_F085TR-ND
FDG6332CF085
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 6 Weeks
Hersteller-Teilenummer FDG6332C_F085
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 113pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5nC @ 4.5V
Typ FET N and P-Channel
FET-Merkmal Logic Level Gate
Expanded Beschreibung Mosfet Array N and P-Channel 20V 700mA, 600mA 300mW Surface Mount SC-70-6
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Beschreibung MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 700mA, 600mA

Andere

Andere Namen FDG6332C_F085FSTR

FDG6332C_F085TR

FDG6332C_F085TR-ND

FDG6332CF085
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Distributor von Fairchild/ON Semiconductor

- Die FDK-Gruppe will durch die Herstellung und Lieferung von elektronischen Geräten und Batterien, die den Bedürfnissen der Kunden entsprechen, zur Verwirklichung einer wohlhabenden Elektronikgesellschaft beitragen. Im Einklang mit unserem kundenorientierten Ansatz liefert FDK Produkte, die den Wert und die Funktion der Produkte unserer Kunden erhöhen. Unsere Material-, Kreislauf- und High-Density-Technologien werden seit langem kultiviert und verwenden umweltfreundliche Produkte. Wir streben danach, auf der ganzen Welt als einer der besten Lieferanten von Schlüssel- und Schneidegeräten anerkannt zu werden und den Fortschritt dieser und neuer Technologien zu fördern und gleichzeitig den Umweltschutz zu fördern.

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