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FDMC8010ET30
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-FDMC8010ET30 |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | FDMC8010ET30 |
| Hersteller / Marke: | Fairchild/ON Semiconductor |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N-CH 30V 30A 8-PQFN |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | FDMC8010ET30 |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
FDMC8010ET30
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Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
| Serie | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3 mOhm @ 30A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.8W (Ta), 65W (Tc) |
| Verpackung | Original-Reel® |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerWDFN |
| Andere Namen | FDMC8010ET30DKR |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 26 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | FDMC8010ET30 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5860pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 94nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 30V 30A (Ta), 174A (Tc) 2.8W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 30A 8-PQFN |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 30A (Ta), 174A (Tc) |
Andere
| Standardpaket | 1 |
|---|---|
| Andere Namen | FDMC8010ET30DKR |
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Distributor von Fairchild/ON Semiconductor
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