FDMC8462

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FDMC8462

EXSHINE Artikelnummer:EX-FDMC8462
Hersteller Artikelnummer:FDMC8462
Hersteller / Marke:Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 40V 14A POWER33
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:FDMC8462
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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FDMC8462
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Serie PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8 mOhm @ 13.5A, 10V
Verlustleistung (max) 2W (Ta), 41W (Tc)
Verpackung Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN
Andere Namen FDMC8462DKR
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 25 Weeks
Hersteller-Teilenummer FDMC8462
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2660pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 40V 14A (Ta), 20A (Tc) 2W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 14A POWER33
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta), 20A (Tc)

Andere

Standardpaket 1
Andere Namen FDMC8462DKR

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Distributor von Fairchild/ON Semiconductor

- Die FDK-Gruppe will durch die Herstellung und Lieferung von elektronischen Geräten und Batterien, die den Bedürfnissen der Kunden entsprechen, zur Verwirklichung einer wohlhabenden Elektronikgesellschaft beitragen. Im Einklang mit unserem kundenorientierten Ansatz liefert FDK Produkte, die den Wert und die Funktion der Produkte unserer Kunden erhöhen. Unsere Material-, Kreislauf- und High-Density-Technologien werden seit langem kultiviert und verwenden umweltfreundliche Produkte. Wir streben danach, auf der ganzen Welt als einer der besten Lieferanten von Schlüssel- und Schneidegeräten anerkannt zu werden und den Fortschritt dieser und neuer Technologien zu fördern und gleichzeitig den Umweltschutz zu fördern.

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