FDMC86265P

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FDMC86265P

EXSHINE Artikelnummer:EX-FDMC86265P
Hersteller Artikelnummer:FDMC86265P
Hersteller / Marke:Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung:MOSFET P-CH 150V 1A MLP
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:FDMC86265P
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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FDMC86265P
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 8-MLP (3.3x3.3), Power33
Serie PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 1A, 10V
Verlustleistung (max) 2.3W (Ta), 16W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN
Andere Namen FDMC86265PTR
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 12 Weeks
Hersteller-Teilenummer FDMC86265P
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 75V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 10V
Typ FET P-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung P-Channel 150V 1A (Ta), 1.8A (Tc) 2.3W (Ta), 16W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3), Power33
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150V
Beschreibung MOSFET P-CH 150V 1A MLP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1A (Ta), 1.8A (Tc)

Andere

Andere Namen FDMC86265PTR
Standardpaket 3,000

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Distributor von Fairchild/ON Semiconductor

- Die FDK-Gruppe will durch die Herstellung und Lieferung von elektronischen Geräten und Batterien, die den Bedürfnissen der Kunden entsprechen, zur Verwirklichung einer wohlhabenden Elektronikgesellschaft beitragen. Im Einklang mit unserem kundenorientierten Ansatz liefert FDK Produkte, die den Wert und die Funktion der Produkte unserer Kunden erhöhen. Unsere Material-, Kreislauf- und High-Density-Technologien werden seit langem kultiviert und verwenden umweltfreundliche Produkte. Wir streben danach, auf der ganzen Welt als einer der besten Lieferanten von Schlüssel- und Schneidegeräten anerkannt zu werden und den Fortschritt dieser und neuer Technologien zu fördern und gleichzeitig den Umweltschutz zu fördern.

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