FDMC8882

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FDMC8882

EXSHINE Artikelnummer:EX-FDMC8882
Hersteller Artikelnummer:FDMC8882
Hersteller / Marke:Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 30V 8-MLP
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:FDMC8882
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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FDMC8882
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 8-MLP (3.3x3.3)
Serie PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.3 mOhm @ 10.5A, 10V
Verlustleistung (max) 2.3W (Ta), 18W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN
Andere Namen FDMC8882-ND
FDMC8882FSTR
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 18 Weeks
Hersteller-Teilenummer FDMC8882
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 945pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 30V 10.5A (Ta), 16A (Tc) 2.3W (Ta), 18W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 8-MLP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10.5A (Ta), 16A (Tc)

Andere

Andere Namen FDMC8882-ND

FDMC8882FSTR
Standardpaket 3,000

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Distributor von Fairchild/ON Semiconductor

- Die FDK-Gruppe will durch die Herstellung und Lieferung von elektronischen Geräten und Batterien, die den Bedürfnissen der Kunden entsprechen, zur Verwirklichung einer wohlhabenden Elektronikgesellschaft beitragen. Im Einklang mit unserem kundenorientierten Ansatz liefert FDK Produkte, die den Wert und die Funktion der Produkte unserer Kunden erhöhen. Unsere Material-, Kreislauf- und High-Density-Technologien werden seit langem kultiviert und verwenden umweltfreundliche Produkte. Wir streben danach, auf der ganzen Welt als einer der besten Lieferanten von Schlüssel- und Schneidegeräten anerkannt zu werden und den Fortschritt dieser und neuer Technologien zu fördern und gleichzeitig den Umweltschutz zu fördern.

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