FDMS3660AS

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FDMS3660AS

EXSHINE Artikelnummer:EX-FDMS3660AS
Hersteller Artikelnummer:FDMS3660AS
Hersteller / Marke:Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung:MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:FDMS3660AS
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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FDMS3660AS
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6), Power56
Serie PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 13A, 10V
Leistung - max 1W
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN
Andere Namen FDMS3660ASTR
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 12 Weeks
Hersteller-Teilenummer FDMS3660AS
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2230pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Typ FET 2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal Logic Level Gate
Expanded Beschreibung Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 13A, 30A 1W Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A, 30A

Andere

Andere Namen FDMS3660ASTR
Standardpaket 3,000

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Distributor von Fairchild/ON Semiconductor

- Die FDK-Gruppe will durch die Herstellung und Lieferung von elektronischen Geräten und Batterien, die den Bedürfnissen der Kunden entsprechen, zur Verwirklichung einer wohlhabenden Elektronikgesellschaft beitragen. Im Einklang mit unserem kundenorientierten Ansatz liefert FDK Produkte, die den Wert und die Funktion der Produkte unserer Kunden erhöhen. Unsere Material-, Kreislauf- und High-Density-Technologien werden seit langem kultiviert und verwenden umweltfreundliche Produkte. Wir streben danach, auf der ganzen Welt als einer der besten Lieferanten von Schlüssel- und Schneidegeräten anerkannt zu werden und den Fortschritt dieser und neuer Technologien zu fördern und gleichzeitig den Umweltschutz zu fördern.

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