FDS6898AZ_F085

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EXSHINE Artikelnummer:	EX-FDS6898AZ_F085
Hersteller Artikelnummer:	FDS6898AZ_F085
Hersteller / Marke:	Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung:	MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:	New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:	FDS6898AZ_F085
Anwendung:	-
Gewicht:	-
Alternativer Ersatz:	-

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FDS6898AZ_F085
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Beschreibung
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse	8-SO
Serie	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 mOhm @ 9.4A, 4.5V
Leistung - max	900mW
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen	FDS6898AZ_F085TR FDS6898AZF085
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	8 Weeks
Hersteller-Teilenummer	FDS6898AZ_F085
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1821pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 4.5V
Typ FET	2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal	Logic Level Gate
Expanded Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 9.4A 900mW Surface Mount 8-SO
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	9.4A

Andere

Standardpaket	2,500
Andere Namen	FDS6898AZ_F085TR FDS6898AZF085

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Distributor von Fairchild/ON Semiconductor

- Die FDK-Gruppe will durch die Herstellung und Lieferung von elektronischen Geräten und Batterien, die den Bedürfnissen der Kunden entsprechen, zur Verwirklichung einer wohlhabenden Elektronikgesellschaft beitragen. Im Einklang mit unserem kundenorientierten Ansatz liefert FDK Produkte, die den Wert und die Funktion der Produkte unserer Kunden erhöhen. Unsere Material-, Kreislauf- und High-Density-Technologien werden seit langem kultiviert und verwenden umweltfreundliche Produkte. Wir streben danach, auf der ganzen Welt als einer der besten Lieferanten von Schlüssel- und Schneidegeräten anerkannt zu werden und den Fortschritt dieser und neuer Technologien zu fördern und gleichzeitig den Umweltschutz zu fördern.

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