FGA25S125P_SN00337

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EXSHINE Artikelnummer:	EX-FGA25S125P_SN00337
Hersteller Artikelnummer:	FGA25S125P_SN00337
Hersteller / Marke:	Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung:	IGBT 1250V 50A 250W TO-3PN
Bleifreier Status / RoHS Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:	New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:	FGA25S125P
Anwendung:	-
Gewicht:	-
Alternativer Ersatz:	-

Echtzeitverfügbarkeit für

FGA25S125P_SN00337
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Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen

Beschreibung
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Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	1250V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic	2.35V @ 15V, 25A
Testbedingung	600V, 25A, 10 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C	24ns/502ns
Schaltenergie	1.09mJ (on), 580µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse	TO-3PN
Serie	-
Leistung - max	250W
Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-3P-3, SC-65-3
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	34 Weeks
Hersteller-Teilenummer	FGA25S125P_SN00337
Eingabetyp	Standard
IGBT-Typ	Trench Field Stop
Gate-Ladung	204nC
Expanded Beschreibung	IGBT Trench Field Stop 1250V 50A 250W Through Hole TO-3PN
Beschreibung	IGBT 1250V 50A 250W TO-3PN
Strom - Collector Pulsed (Icm)	75A
Strom - Kollektor (Ic) (max)	50A

Andere

Standardpaket	30

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Distributor von Fairchild/ON Semiconductor

- Die FDK-Gruppe will durch die Herstellung und Lieferung von elektronischen Geräten und Batterien, die den Bedürfnissen der Kunden entsprechen, zur Verwirklichung einer wohlhabenden Elektronikgesellschaft beitragen. Im Einklang mit unserem kundenorientierten Ansatz liefert FDK Produkte, die den Wert und die Funktion der Produkte unserer Kunden erhöhen. Unsere Material-, Kreislauf- und High-Density-Technologien werden seit langem kultiviert und verwenden umweltfreundliche Produkte. Wir streben danach, auf der ganzen Welt als einer der besten Lieferanten von Schlüssel- und Schneidegeräten anerkannt zu werden und den Fortschritt dieser und neuer Technologien zu fördern und gleichzeitig den Umweltschutz zu fördern.

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