FJV3113RMTF

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FJV3113RMTF

EXSHINE Artikelnummer:EX-FJV3113RMTF
Hersteller Artikelnummer:FJV3113RMTF
Hersteller / Marke:Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:FJV3113RMolded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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FJV3113RMTF
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Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236)
Serie -
Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm) 47k
Widerstand - Base (R1) (Ohm) 2.2k
Leistung - max 200mW
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen FJV3113RMTF-ND
FJV3113RMTFTR
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 18 Weeks
Hersteller-Teilenummer FJV3113RMTF
Frequenz - Übergang 250MHz
Expanded Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 68 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA

Andere

Standardpaket 3,000
Andere Namen FJV3113RMTF-ND

FJV3113RMTFTR

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Distributor von Fairchild/ON Semiconductor

- Die FDK-Gruppe will durch die Herstellung und Lieferung von elektronischen Geräten und Batterien, die den Bedürfnissen der Kunden entsprechen, zur Verwirklichung einer wohlhabenden Elektronikgesellschaft beitragen. Im Einklang mit unserem kundenorientierten Ansatz liefert FDK Produkte, die den Wert und die Funktion der Produkte unserer Kunden erhöhen. Unsere Material-, Kreislauf- und High-Density-Technologien werden seit langem kultiviert und verwenden umweltfreundliche Produkte. Wir streben danach, auf der ganzen Welt als einer der besten Lieferanten von Schlüssel- und Schneidegeräten anerkannt zu werden und den Fortschritt dieser und neuer Technologien zu fördern und gleichzeitig den Umweltschutz zu fördern.

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