FQB27N25TM_F085

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FQB27N25TM_F085

EXSHINE Artikelnummer:EX-FQB27N25TM_F085
Hersteller Artikelnummer:FQB27N25TM_F085
Hersteller / Marke:Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 250V 25.5A 131M
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:FQB27N25TM, FQI27N25TU
Anwendung:-
Gewicht:-
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FQB27N25TM_F085
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263AB)
Serie Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs 131 mOhm @ 25.5A, 10V
Verlustleistung (max) 417W (Tc)
Verpackung Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen FQB27N25TM_F085DKR
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 16 Weeks
Hersteller-Teilenummer FQB27N25TM_F085
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 250V 25.5A (Tc) 417W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250V
Beschreibung MOSFET N-CH 250V 25.5A 131M
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 25.5A (Tc)

Andere

Andere Namen FQB27N25TM_F085DKR
Standardpaket 1

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Distributor von Fairchild/ON Semiconductor

- Die FDK-Gruppe will durch die Herstellung und Lieferung von elektronischen Geräten und Batterien, die den Bedürfnissen der Kunden entsprechen, zur Verwirklichung einer wohlhabenden Elektronikgesellschaft beitragen. Im Einklang mit unserem kundenorientierten Ansatz liefert FDK Produkte, die den Wert und die Funktion der Produkte unserer Kunden erhöhen. Unsere Material-, Kreislauf- und High-Density-Technologien werden seit langem kultiviert und verwenden umweltfreundliche Produkte. Wir streben danach, auf der ganzen Welt als einer der besten Lieferanten von Schlüssel- und Schneidegeräten anerkannt zu werden und den Fortschritt dieser und neuer Technologien zu fördern und gleichzeitig den Umweltschutz zu fördern.

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