FQB8P10TM

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FQB8P10TM

EXSHINE Artikelnummer:EX-FQB8P10TM
Hersteller Artikelnummer:FQB8P10TM
Hersteller / Marke:Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung:MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:FQB8P10, FQI8P10
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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FQB8P10TM
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263AB)
Serie QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 530 mOhm @ 4A, 10V
Verlustleistung (max) 3.75W (Ta), 65W (Tc)
Verpackung Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen FQB8P10TMDKR
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 9 Weeks
Hersteller-Teilenummer FQB8P10TM
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Typ FET P-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung P-Channel 100V 8A (Tc) 3.75W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Beschreibung MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc)

Andere

Andere Namen FQB8P10TMDKR
Standardpaket 1

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Distributor von Fairchild/ON Semiconductor

- Die FDK-Gruppe will durch die Herstellung und Lieferung von elektronischen Geräten und Batterien, die den Bedürfnissen der Kunden entsprechen, zur Verwirklichung einer wohlhabenden Elektronikgesellschaft beitragen. Im Einklang mit unserem kundenorientierten Ansatz liefert FDK Produkte, die den Wert und die Funktion der Produkte unserer Kunden erhöhen. Unsere Material-, Kreislauf- und High-Density-Technologien werden seit langem kultiviert und verwenden umweltfreundliche Produkte. Wir streben danach, auf der ganzen Welt als einer der besten Lieferanten von Schlüssel- und Schneidegeräten anerkannt zu werden und den Fortschritt dieser und neuer Technologien zu fördern und gleichzeitig den Umweltschutz zu fördern.

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