FQD2N60CTF

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FQD2N60CTF

EXSHINE Artikelnummer:EX-FQD2N60CTF
Hersteller Artikelnummer:FQD2N60CTF
Hersteller / Marke:Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:1
Datenblatt herunterladen:FQD2N60C, FQU2N60CD-PAK Tape and Reel Data
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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FQD2N60CTF
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse D-Pak
Serie QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7 Ohm @ 950mA, 10V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer FQD2N60CTF
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 235pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 600V 1.9A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount D-Pak
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.9A (Tc)

Andere

Standardpaket 2,000

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- Die FDK-Gruppe will durch die Herstellung und Lieferung von elektronischen Geräten und Batterien, die den Bedürfnissen der Kunden entsprechen, zur Verwirklichung einer wohlhabenden Elektronikgesellschaft beitragen. Im Einklang mit unserem kundenorientierten Ansatz liefert FDK Produkte, die den Wert und die Funktion der Produkte unserer Kunden erhöhen. Unsere Material-, Kreislauf- und High-Density-Technologien werden seit langem kultiviert und verwenden umweltfreundliche Produkte. Wir streben danach, auf der ganzen Welt als einer der besten Lieferanten von Schlüssel- und Schneidegeräten anerkannt zu werden und den Fortschritt dieser und neuer Technologien zu fördern und gleichzeitig den Umweltschutz zu fördern.

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