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FQD4P25TM_WS
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-FQD4P25TM_WS |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | FQD4P25TM_WS |
| Hersteller / Marke: | Fairchild/ON Semiconductor |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | 1 |
| Datenblatt herunterladen: | FQD4P25TM_WS |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
FQD4P25TM_WS
Auf Lager: 85668000 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D-Pak |
| Serie | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1 Ohm @ 1.55A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 45W (Tc) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Andere Namen | FQD4P25TM_WS-ND FQD4P25TM_WSTR |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 6 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | FQD4P25TM_WS |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 420pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Expanded Beschreibung | P-Channel 250V 3.1A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 250V |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3.1A (Tc) |
Andere
| Standardpaket | 2,500 |
|---|---|
| Andere Namen | FQD4P25TM_WS-ND FQD4P25TM_WSTR |
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Distributor von Fairchild/ON Semiconductor
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