FQH8N100C

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FQH8N100C

EXSHINE Artikelnummer:EX-FQH8N100C
Hersteller Artikelnummer:FQH8N100C
Hersteller / Marke:Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:FQH8N100C
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
Echtzeitverfügbarkeit für
FQH8N100C
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-247
Serie QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.45 Ohm @ 4A, 10V
Verlustleistung (max) 225W (Tc)
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-247-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 37 Weeks
Hersteller-Teilenummer FQH8N100C
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3220pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 1000V (1kV) 8A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-247
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000V (1kV)
Beschreibung MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc)

Andere

Standardpaket 30

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Distributor von Fairchild/ON Semiconductor

- Die FDK-Gruppe will durch die Herstellung und Lieferung von elektronischen Geräten und Batterien, die den Bedürfnissen der Kunden entsprechen, zur Verwirklichung einer wohlhabenden Elektronikgesellschaft beitragen. Im Einklang mit unserem kundenorientierten Ansatz liefert FDK Produkte, die den Wert und die Funktion der Produkte unserer Kunden erhöhen. Unsere Material-, Kreislauf- und High-Density-Technologien werden seit langem kultiviert und verwenden umweltfreundliche Produkte. Wir streben danach, auf der ganzen Welt als einer der besten Lieferanten von Schlüssel- und Schneidegeräten anerkannt zu werden und den Fortschritt dieser und neuer Technologien zu fördern und gleichzeitig den Umweltschutz zu fördern.

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