FQP19N20C_F080

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EXSHINE Artikelnummer:	EX-FQP19N20C_F080
Hersteller Artikelnummer:	FQP19N20C_F080
Hersteller / Marke:	Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung:	MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:	1
Datenblatt herunterladen:	FQP19N20C, FQPF19N20C TO220B03 Pkg Drawing
Anwendung:	-
Gewicht:	-
Alternativer Ersatz:	-

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FQP19N20C_F080
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Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen

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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	TO-220-3
Serie	QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	170 mOhm @ 9.5A, 10V
Verlustleistung (max)	139W (Tc)
Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer	FQP19N20C_F080
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1080pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	53nC @ 10V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Expanded Beschreibung	N-Channel 200V 19A (Tc) 139W (Tc) Through Hole TO-220-3
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	19A (Tc)

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Standardpaket	50

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Distributor von Fairchild/ON Semiconductor

- Die FDK-Gruppe will durch die Herstellung und Lieferung von elektronischen Geräten und Batterien, die den Bedürfnissen der Kunden entsprechen, zur Verwirklichung einer wohlhabenden Elektronikgesellschaft beitragen. Im Einklang mit unserem kundenorientierten Ansatz liefert FDK Produkte, die den Wert und die Funktion der Produkte unserer Kunden erhöhen. Unsere Material-, Kreislauf- und High-Density-Technologien werden seit langem kultiviert und verwenden umweltfreundliche Produkte. Wir streben danach, auf der ganzen Welt als einer der besten Lieferanten von Schlüssel- und Schneidegeräten anerkannt zu werden und den Fortschritt dieser und neuer Technologien zu fördern und gleichzeitig den Umweltschutz zu fördern.

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