FQT13N06LTF

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FQT13N06LTF

EXSHINE Artikelnummer:EX-FQT13N06LTF
Hersteller Artikelnummer:FQT13N06LTF
Hersteller / Marke:Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:FQT13N06LMA04A Pkg Drawing
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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FQT13N06LTF
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse SOT-223-4
Serie QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 1.4A, 10V
Verlustleistung (max) 2.1W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA
Andere Namen FQT13N06LTF-ND
FQT13N06LTFTR
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 6 Weeks
Hersteller-Teilenummer FQT13N06LTF
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.4nC @ 5V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 60V 2.8A (Tc) 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.8A (Tc)

Andere

Standardpaket 4,000
Andere Namen FQT13N06LTF-ND

FQT13N06LTFTR

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Distributor von Fairchild/ON Semiconductor

- Die FDK-Gruppe will durch die Herstellung und Lieferung von elektronischen Geräten und Batterien, die den Bedürfnissen der Kunden entsprechen, zur Verwirklichung einer wohlhabenden Elektronikgesellschaft beitragen. Im Einklang mit unserem kundenorientierten Ansatz liefert FDK Produkte, die den Wert und die Funktion der Produkte unserer Kunden erhöhen. Unsere Material-, Kreislauf- und High-Density-Technologien werden seit langem kultiviert und verwenden umweltfreundliche Produkte. Wir streben danach, auf der ganzen Welt als einer der besten Lieferanten von Schlüssel- und Schneidegeräten anerkannt zu werden und den Fortschritt dieser und neuer Technologien zu fördern und gleichzeitig den Umweltschutz zu fördern.

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