FQU2N90TU

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FQU2N90TU

EXSHINE Artikelnummer:EX-FQU2N90TU
Hersteller Artikelnummer:FQU2N90TU
Hersteller / Marke:Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:FQD2N90, FQU2N90I-PAK Tube Packing Data
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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FQU2N90TU
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse I-Pak
Serie QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2 Ohm @ 850mA, 10V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer FQU2N90TU
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 900V 1.7A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Through Hole I-Pak
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900V
Beschreibung MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.7A (Tc)

Andere

Standardpaket 5,040

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- Die FDK-Gruppe will durch die Herstellung und Lieferung von elektronischen Geräten und Batterien, die den Bedürfnissen der Kunden entsprechen, zur Verwirklichung einer wohlhabenden Elektronikgesellschaft beitragen. Im Einklang mit unserem kundenorientierten Ansatz liefert FDK Produkte, die den Wert und die Funktion der Produkte unserer Kunden erhöhen. Unsere Material-, Kreislauf- und High-Density-Technologien werden seit langem kultiviert und verwenden umweltfreundliche Produkte. Wir streben danach, auf der ganzen Welt als einer der besten Lieferanten von Schlüssel- und Schneidegeräten anerkannt zu werden und den Fortschritt dieser und neuer Technologien zu fördern und gleichzeitig den Umweltschutz zu fördern.

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