HGT1S10N120BNS

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EXSHINE Artikelnummer:	EX-HGT1S10N120BNS
Hersteller Artikelnummer:	HGT1S10N120BNS
Hersteller / Marke:	Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung:	IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Bleifreier Status / RoHS Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:	New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:	HGT(G,P)10N120BN, HGT1S10N120BNS
Anwendung:	-
Gewicht:	-
Alternativer Ersatz:	-

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HGT1S10N120BNS
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Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	1200V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 10A
Testbedingung	960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C	23ns/165ns
Schaltenergie	320µJ (on), 800µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse	TO-263AB
Serie	-
Leistung - max	298W
Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen	HGT1S10N120BNS-ND HGT1S10N120BNSFS
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer	HGT1S10N120BNS
Eingabetyp	Standard
IGBT-Typ	NPT
Gate-Ladung	100nC
Expanded Beschreibung	IGBT NPT 1200V 35A 298W Surface Mount TO-263AB
Beschreibung	IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Strom - Collector Pulsed (Icm)	80A
Strom - Kollektor (Ic) (max)	35A

Andere

Andere Namen	HGT1S10N120BNS-ND HGT1S10N120BNSFS
Standardpaket	50

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Distributor von Fairchild/ON Semiconductor

- Die FDK-Gruppe will durch die Herstellung und Lieferung von elektronischen Geräten und Batterien, die den Bedürfnissen der Kunden entsprechen, zur Verwirklichung einer wohlhabenden Elektronikgesellschaft beitragen. Im Einklang mit unserem kundenorientierten Ansatz liefert FDK Produkte, die den Wert und die Funktion der Produkte unserer Kunden erhöhen. Unsere Material-, Kreislauf- und High-Density-Technologien werden seit langem kultiviert und verwenden umweltfreundliche Produkte. Wir streben danach, auf der ganzen Welt als einer der besten Lieferanten von Schlüssel- und Schneidegeräten anerkannt zu werden und den Fortschritt dieser und neuer Technologien zu fördern und gleichzeitig den Umweltschutz zu fördern.

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